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RF-932G1D射頻導納物位控制器
RF-932G1D射頻導納物位控制器

簡(jiǎn)要描述:

RF-932G1D射頻導納物位控制器是一種從電容式發(fā)展起來(lái)的、防掛料、更可靠、適用性更廣的新型物位控制技術(shù),是電容式物位技術(shù)的升級。所謂射頻導納,導納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數,它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成,而射頻即高頻無(wú)線(xiàn)電波譜,所以射頻導納可以理解為用高頻無(wú)線(xiàn)電波測量導納。儀表工作時(shí),儀表的傳感器與灌壁及被測介質(zhì)形成導納值,物位變化時(shí),導納值相應變化,電路單元將測量導納值轉換成物

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RF-932G1D射頻導納物位控制器


測量原理:


射頻導納是一種從電容式發(fā)展起來(lái)的、防掛料、更可靠、適用性更廣的新型物位控制技術(shù),是電容式物位技術(shù)的升級。所謂射頻導納,導納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數,它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成,而射頻即高頻無(wú)線(xiàn)電波譜,所以射頻導納可以理解為用高頻無(wú)線(xiàn)電波測量導納。儀表工作時(shí),儀表的傳感器與灌壁及被測介質(zhì)形成導納值,物位變化時(shí),導納值相應變化,電路單元將測量導納值轉換成物位信號輸出,實(shí)現物位測量。


技術(shù)參數:


1、電源電壓:220CAC±15% 50Hz;24VDC±5%;


2、消耗功率:4W;


3、輸出信號:繼電器輸出雙刀雙擲(DP/DT);5安(阻性)、220VAC;


4、環(huán)境溫度:-40~70℃;


5、靈敏度設置:0.5~500pF(可調);


6、延時(shí)時(shí)間:0~30秒可調(開(kāi)或關(guān));


7、失電保護模式:低位或高位故障報警,現場(chǎng)可調。


8、安裝形式:⑴法蘭安裝:按用戶(hù)提供的法蘭標準;


它可以檢測所有物料而不受物料的密度、顆粒大小、化學(xué)成分、沉積粘度和導電特性等參數變化的影響。廣泛地應用于液體、粉體、漿體、固體等多種物料的控制。


工作原理:


點(diǎn)位射頻導納技術(shù)與電容技術(shù)的重要區別是采用了三端技術(shù)。在電路單元測量信號上引出一根線(xiàn),經(jīng)同相放大器放大,其輸出與同軸電纜屏蔽層相連,然后連接到探頭的屏蔽層上。該放大器是一個(gè)同相放大器,其增益為“1",輸出信號與輸入信號等電位,同相位,同頻率,但互相隔離。地線(xiàn)是電纜中*外面的屏蔽層。由于同軸電纜的中心線(xiàn)與中間屏蔽存在上述關(guān)系,所以二者之間沒(méi)有電位差,也就沒(méi)有電流流過(guò),即沒(méi)有電流從中心線(xiàn)漏出來(lái),相當于二者之間沒(méi)有電容或者說(shuō)電容為零。因此電纜的溫度效應,安裝電容等也就不會(huì )產(chǎn)生影響。對于探頭上的掛料問(wèn)題,采用一種新的探頭結構,五層同心結構:*里層是中心測桿,中間是中心屏蔽層,*外邊是接地的安裝螺紋,用絕緣層將其分別隔離開(kāi)來(lái)。


與同軸電纜的情況是一樣的,中心測桿與屏蔽層之間沒(méi)有電勢差,即使傳感元件上掛料阻抗很小,也不會(huì )有電流流過(guò),電子儀器測量的僅僅是從探頭中心到對面罐壁的電流,因為中心元件能阻礙電流沿探頭向上流向容器壁,因而對地電流只有經(jīng)探頭末端通過(guò)被測物料到對面容器。即Ua=Ub lab=(Ua-Ub)/R=0。由于屏蔽層與容器壁之間存在電勢差,兩者之間雖有電流流過(guò),但是該電流不被測量,不影響測量結果。這樣就將測量端保護起來(lái),不受掛料的影響。只有容器中的物位確實(shí)上升接觸到中心測量桿時(shí),通過(guò)被測物料,中心測桿與地之間形成被測電流。


RF-932G1D射頻導納物位控制器


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