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RF-932G2D射頻導(dǎo)納物位控制器
RF-932G2D射頻導(dǎo)納物位控制器

簡要描述:

RF-932G1D射頻導(dǎo)納物位控制器是一種從電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、適用性更廣的新型物位控制技術(shù),是電容式物位技術(shù)的升級(jí)。所謂射頻導(dǎo)納,導(dǎo)納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù),它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成,而射頻即高頻無線電波譜,所以射頻導(dǎo)納可以理解為用高頻無線電波測(cè)量導(dǎo)納。儀表工作時(shí),儀表的傳感器與灌壁及被測(cè)介質(zhì)形成導(dǎo)納值,物位變化時(shí),導(dǎo)納值相應(yīng)變化,電路單元將測(cè)量導(dǎo)納值轉(zhuǎn)換成物

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RF-932G2D射頻導(dǎo)納物位控制器


測(cè)量原理:


射頻導(dǎo)納是一種從電容式發(fā)展起來的、防掛料、更可靠、適用性更廣的新型物位控制技術(shù),是電容式物位技術(shù)的升級(jí)。所謂射頻導(dǎo)納,導(dǎo)納的含義為電學(xué)中阻抗的倒數(shù),它由電阻性成分、電容性成分、感性成分綜合而成,而射頻即高頻無線電波譜,所以射頻導(dǎo)納可以理解為用高頻無線電波測(cè)量導(dǎo)納。儀表工作時(shí),儀表的傳感器與灌壁及被測(cè)介質(zhì)形成導(dǎo)納值,物位變化時(shí),導(dǎo)納值相應(yīng)變化,電路單元將測(cè)量導(dǎo)納值轉(zhuǎn)換成物位信號(hào)輸出,實(shí)現(xiàn)物位測(cè)量。


技術(shù)參數(shù):


1、電源電壓:220CAC±15% 50Hz;24VDC±5%;


2、消耗功率:4W;


3、輸出信號(hào):繼電器輸出雙刀雙擲(DP/DT);5安(阻性)、220VAC;


4、環(huán)境溫度:-40~70℃;


5、靈敏度設(shè)置:0.5~500pF(可調(diào));


6、延時(shí)時(shí)間:0~30秒可調(diào)(開或關(guān));


7、失電保護(hù)模式:低位或高位故障報(bào)警,現(xiàn)場(chǎng)可調(diào)。


8、安裝形式:⑴法蘭安裝:按用戶提供的法蘭標(biāo)準(zhǔn);


它可以檢測(cè)所有物料而不受物料的密度、顆粒大小、化學(xué)成分、沉積粘度和導(dǎo)電特性等參數(shù)變化的影響。廣泛地應(yīng)用于液體、粉體、漿體、固體等多種物料的控制。


工作原理:


點(diǎn)位射頻導(dǎo)納技術(shù)與電容技術(shù)的重要區(qū)別是采用了三端技術(shù)。在電路單元測(cè)量信號(hào)上引出一根線,經(jīng)同相放大器放大,其輸出與同軸電纜屏蔽層相連,然后連接到探頭的屏蔽層上。該放大器是一個(gè)同相放大器,其增益為“1",輸出信號(hào)與輸入信號(hào)等電位,同相位,同頻率,但互相隔離。地線是電纜中*外面的屏蔽層。由于同軸電纜的中心線與中間屏蔽存在上述關(guān)系,所以二者之間沒有電位差,也就沒有電流流過,即沒有電流從中心線漏出來,相當(dāng)于二者之間沒有電容或者說電容為零。因此電纜的溫度效應(yīng),安裝電容等也就不會(huì)產(chǎn)生影響。對(duì)于探頭上的掛料問題,采用一種新的探頭結(jié)構(gòu),五層同心結(jié)構(gòu):*里層是中心測(cè)桿,中間是中心屏蔽層,*外邊是接地的安裝螺紋,用絕緣層將其分別隔離開來。


與同軸電纜的情況是一樣的,中心測(cè)桿與屏蔽層之間沒有電勢(shì)差,即使傳感元件上掛料阻抗很小,也不會(huì)有電流流過,電子儀器測(cè)量的僅僅是從探頭中心到對(duì)面罐壁的電流,因?yàn)橹行脑茏璧K電流沿探頭向上流向容器壁,因而對(duì)地電流只有經(jīng)探頭末端通過被測(cè)物料到對(duì)面容器。即Ua=Ub lab=(Ua-Ub)/R=0。由于屏蔽層與容器壁之間存在電勢(shì)差,兩者之間雖有電流流過,但是該電流不被測(cè)量,不影響測(cè)量結(jié)果。這樣就將測(cè)量端保護(hù)起來,不受掛料的影響。只有容器中的物位確實(shí)上升接觸到中心測(cè)量桿時(shí),通過被測(cè)物料,中心測(cè)桿與地之間形成被測(cè)電流。


RF-932G2D射頻導(dǎo)納物位控制器


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